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文章詳情
igbt模塊的特點說明
日期:2024-11-27 00:26
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摘要: IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。
在IGBT使用過程中,可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小,從而實現(xiàn)對IGBT導通/關斷/阻斷狀態(tài)的控制。
1)當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時,MOSFET內溝道消失,IGBT呈關斷狀態(tài)。
2)當集-射極電壓UCE<0時,J3的PN結處于反偏,IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。
3)當集-射極電壓UCE>0時,分兩種情況:
...
IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。
在IGBT使用過程中,可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小,從而實現(xiàn)對IGBT導通/關斷/阻斷狀態(tài)的控制。
1)當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時,MOSFET內溝道消失,IGBT呈關斷狀態(tài)。
2)當集-射極電壓UCE<0時,J3的PN結處于反偏,IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。
3)當集-射極電壓UCE>0時,分兩種情況:
若柵-射極電壓UGE<Uth,溝道不能形成,IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。