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igbt模塊的特點(diǎn)說(shuō)明

日期:2024-07-17 23:21
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摘要: IGBT模塊是由IGBT與FWD(續流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品,具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點(diǎn)。 在IGBT使用過(guò)程中,可以通過(guò)控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小,從而實(shí)現對IGBT導通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。 1)當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時(shí),MOSFET內溝道消失,IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。 2)當集-射極電壓UCE<0時(shí),J3的PN結處于反偏,IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。 3)當集-射極電壓UCE>0時(shí),分兩種情況: ...
    IGBT模塊是由IGBT與FWD(續流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品,具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點(diǎn)。

   在IGBT使用過(guò)程中,可以通過(guò)控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小,從而實(shí)現對IGBT導通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。

    1)當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時(shí),MOSFET內溝道消失,IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。

    2)當集-射極電壓UCE<0時(shí),J3的PN結處于反偏,IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。

    3)當集-射極電壓UCE>0時(shí),分兩種情況:

     若柵-射極電壓UGE<Uth,溝道不能形成,IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。

     若柵-射極電壓UGE>Uth ,柵極溝道形成,IGBT呈導通狀態(tài)(正常工作)。此時(shí),空穴從P+區注入到N基區進(jìn)行電導調制,減少N基區電阻RN的值,使IGBT通態(tài)壓降降低。

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